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15年MOS管制造專家,廣州飛虹詳解MOS管中的米勒電容效應

文章作者:飛虹電子 瀏覽量:2561 類型:行業資訊 日期:2018-11-23 10:55:40 分享:

隨著電子科技技術的發展,MOS管被廣泛應用于各個領域。對于行業人士來說,只要接觸電子電路設計,就必然需要接觸MOS管。而在MOS管的使用過程中,會出現一種常見的作用現象——米勒效應,它一般會出現在MOS管的開通器件之中。而且,在MOS管中,門極和漏極間還會存在米勒電容。



15年MOS管制造專家,廣州飛虹詳解MOS管中的米勒電容效應



那么,什么是米勒電容呢?米勒電容并非指存在MOS管中的電容,它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入的等效電容。根據米勒定理可以得知,這個等效電容比棚漏間的實際電容要大許多,隨增益變化,而由該效應所形成的等效電容稱為米勒電容。


當遇到MOS管出現米勒電容,從而影響整體的開啟時間時,有相關人士會考慮在柵極和源極間并聯一個小電容。但根據米勒定力,在棚源極間并聯一個電容對減小米勒電容于事無補,反之更會降低MOSFET的開啟速度,增加開通關斷時間。


因此,針對這一現象,我們應如何正確地處理呢?根據工程師的經驗之談,正確的處理方式是在關斷感性負載時,如果驅動電路內阻不夠小,可以在MOS的GS間并聯一個適當的電容,而不是并聯一個越小越好的電容。這樣做可以防止關斷時因米勒電容影響出現的漏極電壓塌陷。


而在測試的過程中,一旦遇到米勒效應電容問題,首先要依據查詢數據手冊進行計算,在估算出電容數值后選取適當電容進行電路系統修改調整。



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